一种低紫外衰减晶硅异质结太阳能电池及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明提供了一种低紫外衰减晶硅异质结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括依次设置的受光面层、宽禁带半导体膜层、非晶硅层和硅基体，所述宽禁带半导体膜层和所述非晶硅层形成异质结；所述宽禁带半导体膜层的带隙宽度大于3eV且厚度为5nm‑20nm，所述宽禁带半导体膜层具备紫外波段的光吸收能力且能够在紫外波段产生光生载流子，所述光生载流子能够经由所述异质结输运至所述硅基体并参与光电转换。本发明方案提升了晶硅异质结太阳能电池的紫外稳定性与转换效率。

《一种低紫外衰减晶硅异质结太阳能电池及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025111076426，当前法律状态为已下证，由苏州大学提出申请，发明人为苏晓东;赵鑫琪;校逸凡;邹帅;芦政;崔昊亮，申请日期为2025-08-08，公开（公告）日期为2025-10-31，国际专利分类号（IPC）为 H10F 10/164 (2025.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提供了一种低紫外衰减晶硅异质结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括依次设置的受光面层、宽禁带半导体膜层、非晶硅层和硅基体，所述宽禁带半导体膜层和所述非晶硅层形成异质结；所述宽禁带半导体膜层的带隙宽度大于3eV且厚度为5nm‑20nm，所述宽禁带半导体膜层具备紫外波段的光吸收能力且能够在紫外波段产生光生载流子，所述光生载流子能够经由所述异质结输运至所述硅基体并参与光电转换。本发明方案提升了晶硅异质结太阳能电池的紫外稳定性与转换效率。

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