一种低紫外衰减TOPCon背接触太阳能电池及制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明提供了一种低紫外衰减TOPCon背接触太阳能电池及制备方法。该电池包括背面结构和正面结构，背面结构包括电极层，正面结构包括单晶硅基底和与单晶硅基底接触的宽禁带半导体膜层，宽禁带半导体膜层和单晶硅基底形成异质结；宽禁带半导体膜层的带隙宽度大于3eV且厚度为20nm‑100nm，能够在紫外波段吸收光子并产生光生载流子，光生载流子能够经由异质结注入单晶硅基底，并最终输运至电极层参与光电转换。本发明方案提升了TOPCon背接触太阳能电池的紫外稳定性与转换效率。

《一种低紫外衰减TOPCon背接触太阳能电池及制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025111076430，当前法律状态为已下证，由苏州大学提出申请，发明人为苏晓东;林闻镪;邹帅;芦政;代龙飞，申请日期为2025-08-08，公开（公告）日期为2025-11-07，国际专利分类号（IPC）为 H10F 10/164 (2025.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提供了一种低紫外衰减TOPCon背接触太阳能电池及制备方法。该电池包括背面结构和正面结构，背面结构包括电极层，正面结构包括单晶硅基底和与单晶硅基底接触的宽禁带半导体膜层，宽禁带半导体膜层和单晶硅基底形成异质结；宽禁带半导体膜层的带隙宽度大于3eV且厚度为20nm‑100nm，能够在紫外波段吸收光子并产生光生载流子，光生载流子能够经由异质结注入单晶硅基底，并最终输运至电极层参与光电转换。本发明方案提升了TOPCon背接触太阳能电池的紫外稳定性与转换效率。

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