半导体器件专利转让_购买半导体器件专利
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基于超晶格和压缩感知的安全高效数据传输方法(光电传感、半导体器件、超晶格光电器件、传感数据传输、光通信、无线通信、数据加密、物联网通信)
专利号:2020110687345
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一种薄膜晶体管制备方法
专利号:2021103006692
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一种铜锡硫(CTS)忆阻器及其制备方法(半导体)
专利号:2022103862404
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一种高倍率钠离子电池复合正极材料及其制备方法
专利号:CN201410485776.7
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一种锂离子电池用钛酸钡钠复合负极材料的制备方法
专利号:CN201710968609.1
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一种层状富锂锰基正极材料的制备方法
专利号:CN201610928156.5
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一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法
专利号:CN201610525827.3
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一种多级结构的球形N掺杂C包覆金属氧化物负极材料的制备方法
专利号:CN201810051386.7
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一种锂离子电池复合负极材料的制备方法
专利号:CN201710449705.5
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一种具有多级结构的钛酸钠锂负极材料的制备方法
专利号:CN201710968566.7
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一种氟化物钠离子电池电极材料的制备方法
专利号:CN201811057276.8
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基于智能下料的半导体材料器件多方位测量机构
专利号:2023104738235
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一种全透明非线性选择器的制备方法
专利号:2020107476847
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集成电路声扫检测装置及其集成电路载具
专利号:202510677720X
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一种电荷产生结构及其制备方法和发光器件
专利号:2023114966187
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一种并联叠层全波段光电探测器及其制备方法
专利号:2020110826263
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一种基于苯硫醇衍生物的量子点发光二极管及其制备方法
专利号:2020109202644
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一种衬底集成反并联续流二极管的RC-LIGBT器件
专利号:2021110612659
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一种溶液加工型荧光磷光二元复合白光有机发光二极管器件及其制备方法
专利号:2019107389598
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基于非对称噻吩并异苯并吡喃单元的有机小分子受体材料及应用
专利号:2021109742793
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一种功率元件的保护器件及其制作方法
专利号:2018102575317
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一种H-3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法
专利号:2018112699087
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鳍式场效应管及其制作方法
专利号:2020116228475
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瞬态电压抑制器及其制造方法
专利号:2018107991982
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一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法
专利号:2025100479828
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外延晶片、外延晶片制造方法、二极管及整流器
专利号:2019108499970
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一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置
专利号:2019107233081
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一种InGaN外延层及其制造方法
专利号:2018115594602
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一种超低功耗无线通讯半导体器件
专利号:2025103517304
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一种旋转升降的化学机械研磨防溅罩
专利号:2020106369227
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一种间距可控的化学机械研磨头
专利号:2020106368563
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冷热补偿的半导体耦合结构及其真空温控测试平台和方法
专利号:2021103678613
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一种PNP晶体管、NPN晶体管电极检测识别装置
专利号:2021100749797
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一种基片的预处理装置
专利号:202010635419X
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快速寻找最佳合金氧化物忆阻材料的方法
专利号:2021102828952
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瞬态电压抑制器及其制作方法
专利号:2017105646540
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一种异质结构纳米线的制备方法及应用
专利号:2021114931333
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一种制备锗纳米线的方法(原高校)
专利号:2019113130152
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一种金纳米线的制备方法(原高校)
专利号:201910969442X
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一种半导体基板搬运装置
专利号:2018109404954
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可以。「半导体器件」领域的发明专利可作为高企认定核心自主知识产权(Ⅰ类),实用新型可作为辅助知识产权(Ⅱ类)。本站支持筛选「已报高企」专利,购买后即可用于申报。
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